一種氟化鎂鋇單晶的生長(zhǎng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110434476.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102534774A 公開(kāi)（公告）日 2012-07-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN102534774A 申請(qǐng)公布日 2012-07-04
分類號(hào) C30B29/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 武安華;徐軍;蘇良碧;李紅軍;錢國(guó)興;姜林文;錢小波;王靜雅 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中山昂騰光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海海頌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 何葆芳
地址 200050 上海市長(zhǎng)寧區(qū)定西路1295號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種氟化鎂鋇單晶的生長(zhǎng)方法，所述生長(zhǎng)方法包括如下步驟：首先將BaF2和MgF2的混合粉體或BaMgF4粉體進(jìn)行氟化處理；然后將氟化處理后的粉體和籽晶放入鉑坩堝中，氣密坩堝；再將鉑坩堝置入單晶爐中，采用坩堝下降法生長(zhǎng)氟化鎂鋇單晶。本發(fā)明所述的氟化鎂鋇單晶的生長(zhǎng)方法具有如下優(yōu)點(diǎn)：溫場(chǎng)穩(wěn)定，生長(zhǎng)過(guò)程中無(wú)需通入CF4氣體；生長(zhǎng)的BaMgF4單晶完整性好，無(wú)宏觀及微觀缺陷；成品率高，晶體尺寸和外形容易控制；晶體不易開(kāi)裂；另外，該方法工藝設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，能耗明顯降低，有利于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。