離子摻雜鋁酸鈣釓激光晶體的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410108556.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103882522B 公開(kāi)（公告）日 2017-01-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN103882522B 申請(qǐng)公布日 2017-01-04
分類號(hào) C30B29/22(2006.01)I;C30B13/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 夏長(zhǎng)泰;狄聚青;賽青林;呂正勇;周大華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中山昂騰光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海新天專利代理有限公司 代理人 中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所;中山昂騰光電科技有限公司
地址 201800 上海市嘉定區(qū)800－211郵政信箱
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種離子摻雜鋁酸鈣釓激光晶體的制備方法，在鋁酸鈣釓基質(zhì)中摻入鉻鈰釹等離子，采用提拉法或浮區(qū)法生長(zhǎng)出優(yōu)質(zhì)的鉻鈰釹共摻或鈰釹，鉻釹雙摻的鋁酸鈣釓激光晶體。晶體完整無(wú)開(kāi)裂，可見(jiàn)光波段吸收效率高，是一種非常優(yōu)良的太陽(yáng)光泵浦激光增益介質(zhì)。