一種氟化鎂鋇單晶的生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110434476.2 申請日 -
公開（公告）號 CN102534774B 公開（公告）日 2014-11-19
申請公布號 CN102534774B 申請公布日 2014-11-19
分類號 C30B29/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 武安華;徐軍;蘇良碧;李紅軍;錢國興;姜林文;錢小波;王靜雅 申請（專利權(quán)）人 中山昂騰光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海海頌知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 何葆芳
地址 200050 上海市長寧區(qū)定西路1295號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氟化鎂鋇單晶的生長方法，所述生長方法包括如下步驟：首先將BaF2和MgF2的混合粉體或BaMgF4粉體進(jìn)行氟化處理；然后將氟化處理后的粉體和籽晶放入鉑坩堝中，氣密坩堝；再將鉑坩堝置入單晶爐中，采用坩堝下降法生長氟化鎂鋇單晶。本發(fā)明所述的氟化鎂鋇單晶的生長方法具有如下優(yōu)點(diǎn)：溫場穩(wěn)定，生長過程中無需通入CF4氣體；生長的BaMgF4單晶完整性好，無宏觀及微觀缺陷；成品率高，晶體尺寸和外形容易控制；晶體不易開裂；另外，該方法工藝設(shè)備簡單，操作方便，能耗明顯降低，有利于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。