一種中紅外發(fā)光晶體材料、及其制備方法與應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210541788.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103014864B 公開（公告）日 2016-08-03
申請公布號 CN103014864B 申請公布日 2016-08-03
分類號 C30B29/32(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 徐軍;蔣先濤;蘇良碧;唐慧麗;范曉 申請（專利權(quán)）人 中山昂騰光電科技有限公司
代理機構(gòu) 上海申新律師事務所 代理人 劉懿
地址 200050 上海市長寧區(qū)定西路1295號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種中紅外發(fā)光晶體材料，其為Bi4Ge3O12晶體材料，由純度高于99.9%摩爾配比為2:3的Bi2O3和GeO2，通過以下步驟制得，步驟1，制備Bi2O3和GeO2混合粉料；步驟2，制備Bi4Ge3O12晶體。該中紅外發(fā)光晶體材料由于晶體Bi離子的含量高，有利于產(chǎn)生高強度和超寬帶的中紅外發(fā)光波段，物化性能穩(wěn)定，材料加工方便，也可根據(jù)需要拉制成光纖，能夠與其它光學系統(tǒng)具有很好的兼容性，激發(fā)條件簡單，適用于激光二極管泵浦，能夠很好的利用現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展成熟的二級管激光作為泵浦源，從而得到緊湊型、高效率、低成本商用激光器。