MEMS結(jié)構(gòu)的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510686572.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN106608614B 公開(kāi)（公告）日 2022-03-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN106608614B 申請(qǐng)公布日 2022-03-04
分類(lèi)號(hào) B81C1/00（2006.01）I 分類(lèi) 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 萬(wàn)蔡辛;朱佳輝 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京卓銳微技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;高青
地址 261000 山東省濰坊市坊子區(qū)鳳山路68號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開(kāi)了一種MEMS結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：在基板的第一表面上形成第一犧牲層，基板還包括與第一表面相對(duì)的第二表面；在第一犧牲層上形成第一功能層，第一功能層具有相對(duì)的第一表面和第二表面且第一表面與第一犧牲層接觸；在第一功能層的第二表面上形成第二犧牲層；在第二犧牲層上形成第二功能層；去除第二犧牲層和第二功能層的一部分，使得第二犧牲層和第二功能層的側(cè)壁與第一功能層的表面形成臺(tái)階；形成覆蓋臺(tái)階的保護(hù)層，所述保護(hù)層與臺(tái)階表面的間隙小于等于0.1微米；穿過(guò)第二功能層中的透孔去除第二犧牲層的一部分，使得第二功能層和第二犧牲層的剩余部分形成內(nèi)部空間，第一功能層的第二表面暴露于內(nèi)部空間；以及去除保護(hù)層。該方法在釋放MEMS結(jié)構(gòu)的步驟中利用保護(hù)層保護(hù)臺(tái)階。