一種薄膜沉積裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110167589.0 申請日 -
公開（公告）號 CN102839352A 公開（公告）日 2012-12-26
申請公布號 CN102839352A 申請公布日 2012-12-26
分類號 C23C14/24(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 蔣猛;劉志強;何吉剛 申請（專利權(quán)）人 四川尚德太陽能電力有限公司
代理機構(gòu) 北京金信立方知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 黃威;王桂霞
地址 214028 江蘇省無錫市新區(qū)長江南路17-6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種薄膜沉積裝置及方法，薄膜沉積裝置用于在襯底上形成薄膜層，包括加熱由載氣攜帶的沉積材料的加熱模塊和向所述加熱模塊供料的進料總管，所述加熱模塊包括將所述載氣及所述載氣攜帶的沉積材料加熱形成混合氣體的加熱部件及套設在所述加熱部件外部的外殼體，所述外殼體與所述加熱部件之間形成密封的腔體，所述外殼體開設有使所述混合氣體噴出以在所述襯底上形成薄膜層的噴涂口，所述加熱部件與所述外殼體之間還設有套在所述加熱部件外的擴散管，所述擴散管與所述加熱部件之間形成加熱腔，所述擴散管具有允許所述混合氣體通過的擴散孔。本發(fā)明克服了現(xiàn)有的薄膜沉積裝置的成膜厚度不一致的缺點，提供一種成膜厚度一致的薄膜沉積裝置。