FinFET的摻雜方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510107549.5 申請日 -
公開（公告）號 CN106033715A 公開（公告）日 2016-10-19
申請公布號 CN106033715A 申請公布日 2016-10-19
分類號 H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 洪俊華;吳漢明;陳炯;張勁 申請（專利權）人 上海臨港凱世通半導體有限公司
代理機構 上海弼興律師事務所 代理人 上海凱世通半導體股份有限公司;上海臨港凱世通半導體有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)牛頓路200號7號樓1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種FinFET的摻雜方法，該FinFET包括襯底和位于襯底上平行間隔設置的Fin，每根Fin包括頂面、第一側壁和第二側壁，該摻雜方法包括以下步驟：T1、在Fin的頂面、第一側壁和第二側壁中形成摻雜層；T2、將惰性元素沿著該襯底的法線方向注入至Fin的頂面中以減小頂面中摻雜元素的劑量。本發(fā)明通過較長時間的離子注入實現(xiàn)注入的飽和，并在側壁完成注入之后增加一道注入的工藝，以實現(xiàn)Fin的均勻摻雜。