一種SOI鍵合工藝后襯底片的再生加工方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110460955.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113192823A 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN113192823A 申請公布日 2021-07-30
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 熊誠雷;趙文龍;李戰(zhàn)國;胡曉亮;邵奇 申請（專利權(quán)）人 麥斯克電子材料股份有限公司
代理機構(gòu) 鄭州豫鼎知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 軒文君
地址 471000河南省洛陽市高新區(qū)濱河北路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于集成電路單晶硅拋光片回收加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種SOI鍵合工藝后襯底片的再生加工方法。該方法包括以下步驟：將回收的SOI襯底片進行脫模和清洗?對襯底片進行正面拋光?對襯底片進行第一次清洗?對襯底硅片進行平整度均勻性、厚度測試?對襯底片進行第二次清洗。本發(fā)明的再生加工方法實現(xiàn)了對SOI鍵合工藝后襯底片的回收，使襯底片重新達到具有表面高質(zhì)量水平的襯底硅片，可以在SOI鍵合工藝中循環(huán)多次使用，實現(xiàn)加工成本遠遠低于購買新襯底硅片的價格。