一種硅片熱氧化濕氧工藝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010923895.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111986993A | 公開（公告）日 | 2020-11-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111986993A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-24 |
| 分類號(hào) | H01L21/316(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 仝泉;周曉飛;田獻(xiàn)立;劉麗娟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 麥斯克電子材料股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 洛陽公信知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 麥斯克電子材料有限公司 |
| 地址 | 471000河南省洛陽市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)濱河北路99號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明的一種硅片熱氧化濕氧工藝，包括構(gòu)建硅片熱氧化濕氧工藝過程高純水加注量確定的步驟和方法，具體包括在氧化爐爐管后部設(shè)置計(jì)量泵和氣體噴頭；通過計(jì)量泵將高純水注入氣體噴頭；氣體噴頭將注入的高純水霧化成水汽注入氧化爐爐管，水汽進(jìn)入氧化爐爐管后，分解成氫氣和氧氣，與硅片發(fā)生反應(yīng)，在硅片表面形成氧化膜；通過調(diào)整計(jì)量泵注入氧化爐爐管內(nèi)純水的量控制硅片表面氧化膜的生長厚度。本發(fā)明提高了硅片氧化濕氧工藝的安全可靠性，減少了濕氧過程引入污染的幾率，通過控制計(jì)量泵注入純水的流量和濕氧工藝時(shí)間，可精準(zhǔn)控制硅片氧化工藝氧化膜的生長厚度。?? |
