拋光墊、研磨設(shè)備及半導(dǎo)體器件的制造方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202111103638.4 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN113547450B | 公開(公告)日 | 2022-01-07 |
| 申請公布號 | CN113547450B | 申請公布日 | 2022-01-07 |
| 分類號 | B24B37/22(2012.01)I;B24B37/24(2012.01)I;B24B37/26(2012.01)I;B24B37/005(2012.01)I;B24B49/00(2012.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 分類 | 磨削;拋光; |
| 發(fā)明人 | 黃學(xué)良;王淑芹;王歡;楊佳佳;張季平;朱順全 | 申請(專利權(quán))人 | 湖北鼎龍控股股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 430057湖北省武漢市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)東荊河路1號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了涉及半導(dǎo)體的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)領(lǐng)域的拋光墊、研磨設(shè)備及半導(dǎo)體器件的制造方法。所述拋光墊具有拋光面,在拋光面上至少設(shè)置:一條以上的環(huán)形溝槽和一條以上的放射狀溝槽,所述環(huán)形溝槽與放射狀溝槽連通,所述環(huán)形溝槽兩兩不相交;沿拋光面中心向外周緣方向,環(huán)形溝槽的深度逐漸減小,放射狀溝槽的深度逐漸減小。利用本發(fā)明所提供拋光墊,拋光液利用率高、拋光速率高,且研磨速率不均一性?。煌瑫r(shí)能保證拋光過程產(chǎn)生的廢屑和廢液等的及時(shí)排出以及新拋光液的及時(shí)進(jìn)入。 |





