一種單晶爐加熱器底盤(pán)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200820302772.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN201305649Y 公開(kāi)（公告）日 2009-09-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN201305649Y 申請(qǐng)公布日 2009-09-09
分類號(hào) C30B15/18(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 何紫平;胥敬東;丁宇翔 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖州新元泰微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 貴陽(yáng)中新專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 劉 楠;程新敏
地址 313009浙江省湖州市南潯區(qū)華僑投資區(qū)2號(hào)路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種單晶爐加熱器底盤(pán)。包括底盤(pán)(1)；底盤(pán)(1)上設(shè)有兩個(gè)電極孔(2)，兩個(gè)電極孔(2)的間距為450～470mm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，現(xiàn)有的單晶爐加熱器底盤(pán)上的兩個(gè)電極孔距離較遠(yuǎn)，一般為680mm左右，功耗較大。本實(shí)用新型將兩個(gè)電極孔的距離縮小為460mm左右，可有效降低單晶爐的能耗。改進(jìn)后耗費(fèi)功率可以降低大約10個(gè)千瓦。