超低壓低功耗永久性O(shè)TP存儲(chǔ)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910881739.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110827909A 公開(kāi)（公告）日 2020-02-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN110827909A 申請(qǐng)公布日 2020-02-21
分類號(hào) G11C17/16;G11C17/18 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 彭澤忠;毛軍華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 四川凱路威科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都惠迪專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 四川凱路威科技有限公司
地址 621000 四川省綿陽(yáng)市高新區(qū)綿興東路133號(hào)A412
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 超低壓低功耗永久性O(shè)TP存儲(chǔ)器，涉及存儲(chǔ)器技術(shù)。本發(fā)明包括一個(gè)選擇MOS管、一個(gè)檢測(cè)MOS管和電容，選擇MOS管的第一工作端和檢測(cè)MOS管的控制端連接于參考點(diǎn)，選擇MOS管的第二工作端和檢測(cè)MOS管的第二工作端皆與第一位線連接，檢測(cè)MOS管的第一工作端連接第二位線，作為反熔絲存儲(chǔ)核心的電容設(shè)置于參考點(diǎn)和第一字線之間，其特征在于，所述電容為本征MOS管的柵電容。本發(fā)明的有益效果是，無(wú)需電壓提升電路即可實(shí)現(xiàn)低至0.6V的讀取電壓，顯著的降低了功耗。