水冷裝置及單晶硅生長(zhǎng)爐
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201820384023.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN208038587U | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-11-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN208038587U | 申請(qǐng)公布日 | 2018-11-02 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B15/00;C30B29/06 | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 陳家駿;鄒凱;曾世銘;徐由兵;田棟東 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 包頭市山晟新能源有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 闞梓瑄;王衛(wèi)忠 |
| 地址 | 014100 內(nèi)蒙古自治區(qū)包頭市土右旗薩拉齊鎮(zhèn)新型工業(yè)園區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提出一種水冷裝置及單晶硅生長(zhǎng)爐。本實(shí)用新型的水冷裝置用于單晶硅生長(zhǎng)爐，包括法蘭盤(pán)、管道、內(nèi)導(dǎo)流筒、外導(dǎo)流筒和導(dǎo)流筒夾層。法蘭盤(pán)，設(shè)于爐體頂部，爐蓋設(shè)于所述法蘭盤(pán)上，法蘭盤(pán)設(shè)有能與外界連通的進(jìn)水口和出水口。管道設(shè)于爐內(nèi)并沿豎直方向呈環(huán)狀，以形成供單晶硅棒伸入的水套，管道的一端與進(jìn)水口連通，另一端與出水口連通。內(nèi)導(dǎo)流筒設(shè)于水套外部，內(nèi)導(dǎo)流筒外部還設(shè)有外導(dǎo)流筒，內(nèi)導(dǎo)流筒與外導(dǎo)流筒形成導(dǎo)流筒夾層。使用本實(shí)用新型的水冷裝置，能提高單晶硅的生長(zhǎng)速度，提高產(chǎn)量。 |
