一種感應(yīng)加熱金紅石單晶體生長(zhǎng)爐及其制備金紅石方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510843576.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN105369342B | 公開(kāi)(公告)日 | 2017-10-31 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN105369342B | 申請(qǐng)公布日 | 2017-10-31 |
| 分類號(hào) | C30B11/00(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 唐堅(jiān);劉旭東;張瑞青;畢孝國(guó);孫旭東;牛微;董穎男 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 沈陽(yáng)旭日晶體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 沈陽(yáng)銘揚(yáng)聯(lián)創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 沈陽(yáng)工程學(xué)院;沈陽(yáng)旭日晶體科技有限公司 |
| 地址 | 110136 遼寧省沈陽(yáng)市沈北新區(qū)蒲昌路18號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種感應(yīng)加熱金紅石單晶體生長(zhǎng)爐及其制備金紅石方法,屬于單晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域。解決溫度分布難于精確控制,晶體生長(zhǎng)界面以下軸向溫度梯度較大,晶體中易存在較大的應(yīng)力的問(wèn)題,生長(zhǎng)爐包括:分為上腔體與下腔體的爐殼,第一加熱裝置,包括導(dǎo)電陶瓷管置于上腔體內(nèi)作為加熱段,導(dǎo)電陶瓷管為進(jìn)料口與下腔體的進(jìn)料通道,導(dǎo)電陶瓷管外套設(shè)石英管,石英管外纏繞第一電磁感應(yīng)線圈;設(shè)置在下腔體內(nèi)生長(zhǎng)室,第一加熱裝置下方設(shè)置為生長(zhǎng)室的生長(zhǎng)區(qū);第二加熱裝置,包括設(shè)置晶體生長(zhǎng)區(qū)的下方的生長(zhǎng)室的保溫層內(nèi)的第二電磁感應(yīng)線圈形成保溫段。本發(fā)明可以做到溫度的變化更加精確,可以根據(jù)需要隨時(shí)調(diào)整晶體生長(zhǎng)的溫度梯度。 |





