新型PN型鈣鈦礦/銅銦鎵硒雙結(jié)薄膜電池制備方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510217903.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN106206948A | 公開(kāi)(公告)日 | 2016-12-07 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106206948A | 申請(qǐng)公布日 | 2016-12-07 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 馬給民;保羅·比蒂;陳浩 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 東莞日陣薄膜光伏技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 523808 廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)工業(yè)北四路五號(hào)ITT廠房415、418室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種雙結(jié)“P?N型鈣鈦礦/銅銦鎵硒”電池,由上層P?N型鈣鈦礦電池和下層銅銦鎵硒電池構(gòu)成。上層P?N型鈣鈦礦電池包括透明基板、透明電極、N型甲胺碘鉛及其衍生物鈣鈦礦半導(dǎo)體薄膜、P型甲胺碘鉛及其衍生物鈣鈦礦半導(dǎo)體薄膜、透明后電極;下層銅銦鎵硒電池包括基底、鉬電極、銅銦鎵硒光吸收層、硫化鎘緩沖層、氧化鋅和參鋁氧化鋅窗口層。上層P?N型鈣鈦礦的禁帶寬度約為1.8eV,與下層銅銦鎵硒的1.1eV十分匹配,可充分利用太陽(yáng)光譜。此外,上層P?N型鈣鈦礦電池效率高,且無(wú)需制備空穴傳輸層,從而簡(jiǎn)化了現(xiàn)有鈣鈦礦電池的制備工藝,降低了制備成本,也無(wú)需大量使用金屬Pb,有利于綠色、環(huán)保的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。 |





