一種具有消影功能的納米銀線透明導(dǎo)電膜蝕刻方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911045622.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110629222B 公開(kāi)（公告）日 2022-02-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN110629222B 申請(qǐng)公布日 2022-02-18
分類號(hào) C23F1/02（2006.01）I;C23F1/12（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 呂鵬;張梓晗;楊錦;姚成鵬;張運(yùn)奇;聶彪 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 合肥微晶材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 安徽省合肥新安專利代理有限責(zé)任公司 代理人 盧敏
地址 230088安徽省合肥市高新區(qū)黃山路602號(hào)A105
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有消影功能的納米銀線透明導(dǎo)電膜蝕刻方法，是首先在納米銀線透明導(dǎo)電膜表面設(shè)置圖案化感光膠層，然后放入等離子體蝕刻倉(cāng)內(nèi)進(jìn)行等離子體蝕刻，再去除蝕刻后導(dǎo)電膜表面的圖案化感光膠層并水洗、烘干即可。本發(fā)明通過(guò)控制蝕刻工藝，使蝕刻區(qū)不導(dǎo)電的同時(shí)大部分保留下來(lái)，從而降低蝕刻區(qū)和非蝕刻區(qū)的霧度差，達(dá)到消影目的，并且本發(fā)明的方法操作簡(jiǎn)單、效率高，易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。