用于高通量焦磷酸測(cè)序芯片微反應(yīng)池陣列的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010436352.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111562721A | 公開（公告）日 | 2020-08-21 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111562721A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-21 |
| 分類號(hào) | G03F7/16(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 王云翔;李瑾;冒薇;王豐梅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州研材微納科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州國(guó)誠(chéng)專利代理有限公司 | 代理人 | 韓鳳 |
| 地址 | 215121江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城西北區(qū)11幢401室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種用于高通量焦磷酸測(cè)序芯片微反應(yīng)池陣列的制備方法，其包括如下步驟：步驟1、對(duì)光纖面板進(jìn)行所需的清洗；步驟2、得到SU8光刻膠膜；步驟3、對(duì)上述光纖面板以及SU8光刻膠膜進(jìn)行熱烘，步驟4、對(duì)上述SU8光刻膠膜進(jìn)行曝光；步驟5、對(duì)上述光纖面板以及圖形化光刻膠膜再次熱烘，并在熱烘后置于氮?dú)猸h(huán)境中冷卻至室溫；步驟6、對(duì)上述圖形化光刻膠膜進(jìn)行顯影，以在光纖面板上得到所需的微反應(yīng)池陣列。本發(fā)明能有效制備得到微反應(yīng)池，與現(xiàn)有工藝兼容，安全可靠。?? |
