一種摻鎢氧化銦薄膜的制備方法以及采用該薄膜制成的柔性鈣鈦礦太陽(yáng)能電池

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110524377.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN113249690A 公開(kāi)(公告)日 2021-08-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN113249690A 申請(qǐng)公布日 2021-08-13
分類號(hào) C23C14/32;C23C14/08;H01L51/00;H01L51/42 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 項(xiàng)天星;劉勝康;彭勇 申請(qǐng)(專利權(quán))人 中山市武漢理工大學(xué)先進(jìn)工程技術(shù)研究院
代理機(jī)構(gòu) 中山市粵捷信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 張謙
地址 528437 廣東省中山市火炬開(kāi)發(fā)區(qū)祥興路6號(hào)數(shù)貿(mào)大廈二棟210室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及了摻鎢氧化銦薄膜的制備方法,以固體IWO顆粒為原料。本發(fā)明還涉及一種大面積柔性鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,以柔性聚酰亞胺(PI)薄膜為基底,在上面利用上述空心陰極離子鍍沉積IWO導(dǎo)電薄膜作為電極;在IWO電極上使用熱蒸鍍的方法依次蒸鍍酞菁銅(CuPc)空穴傳輸層、CsBr以及PbI2,然后與FAI進(jìn)行化學(xué)氣相沉積反應(yīng)生成鈣鈦礦吸光層;在鈣鈦礦吸光層上依次蒸鍍C60電子傳輸層、浴銅靈(BCP)緩沖層以及銀電極從而完成器件的制備。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了在大面積耐高溫柔性聚酰亞胺基底上沉積鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,對(duì)柔性鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備具有科學(xué)指導(dǎo)意義。