基于計(jì)算的光模塊消光比調(diào)試方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111533292.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114216658A | 公開（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114216658A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-22 |
| 分類號(hào) | G01M11/02（2006.01）I | 分類 | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 仇晨寅;陳曉鵬;周建華 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 無(wú)錫市德科立光電子技術(shù)股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫華源專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 過顧佳 |
| 地址 | 214000江蘇省無(wú)錫市新區(qū)科技產(chǎn)業(yè)園93號(hào)-C地塊 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種基于計(jì)算的光模塊消光比調(diào)試方法。其包括如下步驟：步驟1、提供待調(diào)試的光模塊；步驟2、將兩個(gè)偏置電流DAC值寫入待調(diào)試光模塊的寄存器內(nèi)；步驟3、確定發(fā)光效率η以及閾值電流Ith；步驟4、確定消光比目標(biāo)值Er、平均光功率目標(biāo)值P以及平均光功率下偏置電流Ibias；步驟5、確定低電平下功率P0以及高電平下功率P1；步驟6、確定調(diào)置電流Imod；步驟7、確定調(diào)置DAC值MOD_DAC并寫入待調(diào)試光模塊的寄存器中；步驟8、讀取待調(diào)試光模塊的當(dāng)前消光比值，并將當(dāng)前消光比大于消光比規(guī)格最小值以及消光比規(guī)格最大值比較。本發(fā)明能有效提高光模塊消光比調(diào)試效率。 |
