一種利用原子層沉積技術(shù)制作微通道板功能層的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410363192.2 申請日 -
公開（公告）號 CN104152868B 公開（公告）日 2016-12-07
申請公布號 CN104152868B 申請公布日 2016-12-07
分類號 C23C16/44(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 朱香平;鄧國寶 申請（專利權(quán)）人 東莞市中科原子精密制造科技有限公司
代理機構(gòu) 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機械研究所;東莞市中科原子精密制造科技有限公司
地址 710119 陜西省西安市高新區(qū)新型工業(yè)園信息大道17號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種利用原子層沉積技術(shù)制作微通道板功能層的方法，以克服微通道板利用傳統(tǒng)氫還原技術(shù)制備功能層的固有缺陷，解決微通道板功能層制造復(fù)雜，性能不穩(wěn)定，壽命不長等難題，制造出附著力強、表面光滑、厚度均勻、組成成分純度高的電阻層和發(fā)射層，提高微通道板的性能穩(wěn)定性，延長其工作壽命。