一種微通道板
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110556857.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113205996A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-08-03 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113205996A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-03 |
| 分類號(hào) | H01J43/24;H01J9/12;C23C16/455;C23C16/40;C23C16/06 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張偉;朱香平;韋永林 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 東莞市中科原子精密制造科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京尚倫律師事務(wù)所 | 代理人 | 趙昕 |
| 地址 | 523003 廣東省東莞市松山湖園區(qū)學(xué)府路1號(hào)2棟524室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公開(kāi)是關(guān)于微通道板，屬于光電技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的微通道板包括微通道板本體及設(shè)置在微通道板本體內(nèi)壁的高阻薄膜；所述高阻薄膜具有由第1?M薄膜層組成的層疊結(jié)構(gòu)，每個(gè)薄膜層包括通過(guò)原子層沉積制成的第一材料層和通過(guò)原子層沉積于第一材料層上的第二材料層；所述微通道板本體內(nèi)壁上為第1薄膜層的第一材料層，第i薄膜層的第一材料層沉積于第i?1薄膜層的第二材料層上；所述高阻薄膜的厚度在預(yù)設(shè)厚度取值范圍內(nèi)；其中，第一材料為指定絕緣材料和指定導(dǎo)電材料中的任一種，第二材料為所述指定絕緣材料和指定導(dǎo)電材料中的另一種；i＝2,…M。本申請(qǐng)能夠解決現(xiàn)有技術(shù)其副產(chǎn)物為有毒有害氣體的問(wèn)題。 |
