一種微通道板高阻薄膜及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110571109.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113223917A 公開（公告）日 2021-08-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN113223917A 申請(qǐng)公布日 2021-08-06
分類號(hào) H01J43/24;H01J9/02;C23C16/30;C23C16/455 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張偉;朱香平;韋永林 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 東莞市中科原子精密制造科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京尚倫律師事務(wù)所 代理人 趙昕
地址 523003 廣東省東莞市松山湖園區(qū)學(xué)府路1號(hào)2棟524室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開是關(guān)于微通道板高阻薄膜及其制備方法，屬于光電技術(shù)領(lǐng)域，用于解決現(xiàn)有原子層沉積制備微通道板功能層AZO性能不穩(wěn)定、壽命低等問題。本發(fā)明提供微通道板高阻薄膜為通過原子層沉積技術(shù)在微通道板本體內(nèi)壁上沉積指定半導(dǎo)體材料而成的二次電子發(fā)射層，以確保所述微通道板進(jìn)行正常電子倍增功能。本通過本發(fā)明提供的方案得到的微通道板高阻薄膜在使用過程中性能穩(wěn)定，能夠增長(zhǎng)微通道板的使用壽命。