一種集成過壓保護(hù)二極管的NLDMOS器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210169338.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114420759A 公開（公告）日 2022-04-29
申請公布號 CN114420759A 申請公布日 2022-04-29
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 呂宇強(qiáng);鞠建宏 申請（專利權(quán)）人 江蘇帝奧微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京睿智保誠專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 杜娟
地址 226000江蘇省南通市崇州大道60號南通創(chuàng)新區(qū)紫瑯科技城8號樓6層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種集成過壓保護(hù)二極管的NLDMOS器件，應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，包括P型半導(dǎo)體襯底，在P型半導(dǎo)體襯底內(nèi)由下至上設(shè)有P型重?fù)诫s埋層和N型重?fù)诫s埋層，外延層位于P型半導(dǎo)體襯底的頂部；N型重?fù)诫s埋層的引出深N阱位于所述外延層內(nèi)；引出深N阱的表面設(shè)有引出漏極N+接觸區(qū)；在引出深N阱和功率開關(guān)管漏極之間設(shè)有隔離淺槽；功率開關(guān)管漏極、功率開關(guān)管柵極、功率開關(guān)管源極和功率開關(guān)管背柵極均位于外延層。本發(fā)明僅通過增加一個工藝層次，形成了內(nèi)置于芯片自身功率開關(guān)管下方的體內(nèi)浪涌保護(hù)二極管，實(shí)現(xiàn)高效率、低成本的解決ESD和浪涌等過壓電應(yīng)力的集成化保護(hù)的創(chuàng)新方案。