一種金屬焊盤結(jié)構(gòu)及其工藝方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201711082639.9 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN109755201B | 公開(公告)日 | 2022-05-17 |
| 申請公布號 | CN109755201B | 申請公布日 | 2022-05-17 |
| 分類號 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 呂宇強 | 申請(專利權(quán))人 | 江蘇帝奧微電子股份有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京睿智保誠專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | - |
| 地址 | 226017 江蘇省南通市崇州大道60號南通創(chuàng)新區(qū)紫瑯科技城8號樓6層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 一種金屬焊盤結(jié)構(gòu),包括襯底、填充介質(zhì)、金屬前介電層、頂層金屬層及焊球體,襯底表面形成溝槽,填充介質(zhì)設(shè)于溝槽中,金屬前介電層設(shè)于填充介質(zhì)與襯底之上,頂層金屬層設(shè)于金屬前介電層之上,焊球體則是設(shè)于頂層金屬層之上;制程方法是先在襯底表面熱生長初始氧化層,之后進行光刻及蝕刻以形成溝槽,并在硅襯底表面及溝槽的側(cè)壁與底部熱生長過渡層以及沉積填充介質(zhì),在襯底及填充介質(zhì)上沉積多層介電層及金屬層,在介電層中光刻出接觸孔并且填充金屬,沉積頂層金屬層以及鈍化層且進行光刻及蝕刻,最后在頂層金屬層上形成鉛錫焊球。 |





