一種改善超級(jí)電容器自放電的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711487830.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN108231432B 公開(kāi)(公告)日 2019-12-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN108231432B 申請(qǐng)公布日 2019-12-13
分類(lèi)號(hào) H01G11/84(2013.01); H01G11/86(2013.01); H01G11/30(2013.01); H01G11/32(2013.01); H01G11/46(2013.01); C23C16/40(2006.01); C23C16/455(2006.01) 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 于圣明; 胡韜; 解明 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 武漢艾特米克超能新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 武漢艾特米克超能新材料科技有限公司
地址 430000 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)光谷大道303號(hào)光谷.芯中心2-03棟302室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于電化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種改善超級(jí)電容器自放電的方法,該方法包括如下步驟:1)將活性碳電極作為基底放入真空反應(yīng)腔室中;2)向真空反應(yīng)腔室中通入第一前驅(qū)氣體,第一前驅(qū)氣體與活性碳電極的表面官能團(tuán)發(fā)生反應(yīng);3)用惰性氣體沖洗;4)以第一前驅(qū)氣體為金屬源,以第二前驅(qū)氣體為氧源,將第一前驅(qū)氣體和第二前驅(qū)氣體通入真空反應(yīng)腔室中,在惰性氣體氛圍中,進(jìn)行原子層沉積循環(huán),直至在形成目標(biāo)厚度的金屬氧化物薄膜。采用原子層沉積技術(shù)將金屬氧化物沉積在活性碳電極表面形成包覆層,改善碳電極表面結(jié)構(gòu),增強(qiáng)超級(jí)電容器在使用過(guò)程當(dāng)中的穩(wěn)定性;可通過(guò)控制反應(yīng)進(jìn)行的周期數(shù)即能達(dá)到簡(jiǎn)單精確控制薄膜生長(zhǎng)所需厚度的目的。