碳化硅半導體元件以及其制造方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201410840780.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN105810731B | 公開（公告）日 | 2019-03-01 |
| 申請公布號 | CN105810731B | 申請公布日 | 2019-03-01 |
| 分類號 | H01L29/78（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/41（2006.01）I; H01L29/36（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 顏誠廷; 洪建中; 黃堯峯; 洪湘婷; 李傳英 | 申請（專利權）人 | 上海瀚薪科技有限公司 |
| 代理機構 | 北京律誠同業(yè)知識產權代理有限公司 | 代理人 | 王玉雙;常大軍 |
| 地址 | 中國臺灣新竹市埔頂路18號6樓之5 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種碳化硅半導體元件以及其制造方法，藉由設置一通道控制區(qū)域，并令所述通道控制區(qū)域具有一從一第一摻雜邊界開始遞增，并于所述第一摻雜邊界與一第二摻雜邊界之間達到一最大值，而后朝所述第二摻雜邊界遞減的雜質濃度分布，使得所述碳化硅半導體元件，能夠在不犧牲臨界電壓的情況下，降低導通電阻，提升其漏極電流。 |
