一種防止紅外激光信息泄露及電磁信息泄露的防護(hù)膜

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110899153.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113347864B 公開（公告）日 2021-11-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN113347864B 申請(qǐng)公布日 2021-11-12
分類號(hào) H05K9/00（2006.01）I;G02B5/00（2006.01）I 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 金鑫;曹蕾;聞崇波;吳高其;李濤;邱曉怡;朱玉梅 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 泰州宏智光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都天嘉專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄧小兵
地址 610200 四川省成都市中國（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都市雙流區(qū)物聯(lián)二路186號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種防止紅外激光信息泄露及電磁信息泄露的防護(hù)膜，包括：基底層；采用濺射鍍膜方式附著在基底層上的導(dǎo)電金屬層；采用濺射鍍膜方式附著在導(dǎo)電金屬層上的納米半導(dǎo)體層；采用濺射方式或涂覆方式附著在納米半導(dǎo)體層上的納米熱敏材料層；采用涂覆方式或?yàn)R射鍍膜方式附著在納米熱敏材料層上的納米紅外吸收層；粘接在納米紅外吸收層上的納米光致發(fā)光層；粘接在納米光致發(fā)光層上的安裝膠層；粘接在安裝膠層上的保護(hù)層。本發(fā)明能夠同時(shí)有效防止紅外激光信息泄露及電磁信息泄露，且針對(duì)紅外激光入侵，不僅能夠?qū)崟r(shí)檢測出紅外激光入侵點(diǎn)在防護(hù)膜上的位置，還能夠在入侵紅外激光移走后的一段時(shí)間內(nèi)肉眼觀察到入侵印記。