微型發(fā)光二極管外延片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> 2020109363453 申請日 -
公開（公告）號 CN112259646A 公開（公告）日 2021-01-22
申請公布號 CN112259646A 申請公布日 2021-01-22
分類號 H01L33/00(2010.01)I; 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 洪威威;王倩;梅勁;張奕;董彬忠 申請（專利權）人 華燦光電（浙江）有限公司
代理機構 北京三高永信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 代理人 呂耀萍
地址 322000浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開公開了微型發(fā)光二極管外延片的制備方法，屬于發(fā)光二極管制作領域。在襯底上生長n型層時，以較低的生長壓力生長n型層，MO源可以充分反應得到質量較好的n型層。發(fā)光層的生長壓力整體的生長壓力相對n型層更低，發(fā)光層中的In原子也有足夠的時間滲入發(fā)光層中，提高發(fā)光層捕捉載流子的能力與微型發(fā)光二極管的發(fā)光均勻度。p型層的生長壓力高于n型層與發(fā)光層的生長壓力，保證發(fā)光層的質量。p型層的生長壓力大于n型層與發(fā)光層的生長壓力還可以起到p型層快速生長。整體提供微型發(fā)光二極管的出光均勻度的同時也不會過度提高微型發(fā)光二極管的成本。??