具有AlN的發(fā)光二極管外延片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110529500.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113481593A 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN113481593A 申請公布日 2021-10-08
分類號 C30B23/02（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 洪威威;王倩;梅勁;董彬忠 申請（專利權(quán)）人 華燦光電（浙江）有限公司
代理機構(gòu) 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 代理人 呂耀萍
地址 322000浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供了一種具有AlN的發(fā)光二極管外延片的制備方法，屬于發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域。交替在襯底的表面濺射第一AlN膜與第二AlN膜以最終形成AlN緩沖層。并且濺射第一AlN膜時的靶間距為第一靶間距，濺射第二AlN膜時的靶間距為第二靶間距，第一靶間距大于第二靶間距。較大的第一靶間距濺射得到的第一AlN膜的厚度與均勻性會較好。較小的第二靶間距濺射第二AlN膜的速度會較快，提高第二AlN膜的沉積速率。而交替得到的第一AlN膜與第二AlN膜的內(nèi)部應(yīng)力得到釋放，AlN緩沖層的整體質(zhì)量得到提高，并且AlN緩沖層的生長速率也得到提高。降低發(fā)光二極管外延片的制備周期的同時有效提高發(fā)光二極管外延片的晶體質(zhì)量。