氮化鎵基發(fā)光二極管外延片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110558491.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113517381A 公開（公告）日 2021-10-19
申請公布號 CN113517381A 申請公布日 2021-10-19
分類號 H01L33/24（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王群;郭炳磊;葛永暉;王江波;董彬忠;李鵬 申請（專利權(quán)）人 華燦光電（浙江）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 呂耀萍
地址 322000浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供了一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延片及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。發(fā)光二極管外延片包括襯底、以及依次層疊在襯底上的緩沖層、未摻雜的氮化鎵層、N型層、有源層、復(fù)合P型層以及P型接觸層；復(fù)合P型層包括依次層疊在有源層上的第一復(fù)合層和第二復(fù)合層，第一復(fù)合層為氮化鎵層，第二復(fù)合層為P型氮化鎵層，有源層的與第一復(fù)合層接觸的一面上具有多個凸起，且多個凸起穿過第一復(fù)合層，位于第二復(fù)合層內(nèi)，多個凸起為氧化鎵材料。該發(fā)光二極管外延片可以減少M(fèi)g的摻雜，改善小電流下空穴的擴(kuò)展和有效注入，提高外延片的發(fā)光效率。