增強側面光強的發(fā)光二極管芯片及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110540609.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113517378A 公開（公告）日 2021-10-19
申請公布號 CN113517378A 申請公布日 2021-10-19
分類號 H01L33/22（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蘭葉;王江波;吳志浩 申請（專利權）人 華燦光電（浙江）有限公司
代理機構 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 代理人 呂耀萍
地址 322000浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供了一種增強側面光強的發(fā)光二極管芯片及其制造方法，屬于半導體技術領域。發(fā)光二極管芯片的襯底的第二表面上布置有多個尖刺結構，第二表面為與第一表面相對的一面，所述尖刺結構為直角三棱柱，所述直角三棱柱包括第一棱柱面和第二棱柱面，所述第一棱柱面垂直于所述第二表面，所述第二棱柱面連接所述第一棱柱面和所述第二表面，且所述第二棱柱面與所述第二表面之間的夾角為θ，0°＜θ≤90°，每個所述直角三棱柱的所述第二棱柱面均朝向所述襯底的中心線。采用該發(fā)光二極管芯片可以增強側面光強。