圖形化SOILDMOS器件結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122099659.5 申請日 -
公開（公告）號 CN215418189U 公開（公告）日 2022-01-04
申請公布號 CN215418189U 申請公布日 2022-01-04
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張耀輝;黃安東 申請（專利權）人 蘇州華太電子技術股份有限公司
代理機構 南京利豐知識產權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 趙世發(fā)
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街328號創(chuàng)意產業(yè)園10-1F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種圖形化SOI LDMOS器件結構。所述圖形化SOI LDMOS器件結構包括依次疊層設置的襯底、第一絕緣層和外延層，其中，所述第一絕緣層的表面具有第一區(qū)域以及不同于第一區(qū)域的第二區(qū)域，所述第一絕緣層的第一區(qū)域開設有沿厚度方向貫穿所述第一絕緣層的圖形窗口，所述圖形窗口內填充有硅層，所述硅層分別與所述外延層、襯底導熱連接；以及源極、漏極、柵極以及與柵極相匹配的場板。本實用新型實施例提供的圖形化SOILDMOS器件結構，減小了上層硅器件的厚度，使得氧化層上的LDMOS器件的LDD結深觸底到氧化層上，進而減小了Cds，降低了Cdb，并能夠顯著減小Coss、改善LDMOS的高頻性能和效率。