高遷移率的p型多晶硅柵LDMOS器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010707870.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113964190A 公開（公告）日 2022-01-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN113964190A 申請(qǐng)公布日 2022-01-21
分類號(hào) H01L29/10（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 莫海鋒 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 趙世發(fā)
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街328號(hào)創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園10-1F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高遷移率的p型多晶硅柵LDMOS器件及其制作方法。所述高遷移率的p型多晶硅柵LDMOS器件包括半導(dǎo)體基材和柵極，所述半導(dǎo)體基材內(nèi)分布有體區(qū)接觸區(qū)和漂移區(qū)，所述體區(qū)接觸區(qū)、漂移區(qū)內(nèi)分別形成有源區(qū)、漏區(qū)，以及，所述半導(dǎo)體基材內(nèi)還分布有溝道區(qū)，所述溝道區(qū)內(nèi)還形成有第一摻雜區(qū)，所述半導(dǎo)體基材、柵極、體區(qū)接觸區(qū)、溝道區(qū)為第一摻雜類型，所述源區(qū)、漏區(qū)、漂移區(qū)和第一摻雜區(qū)為第二摻雜類型。本發(fā)明提供的高遷移率的P型多晶硅柵LDMOS器件，P型摻雜的溝道區(qū)內(nèi)具有n型輕摻雜區(qū)，減少了表面缺陷對(duì)電子遷移率的影響，同時(shí)減少了熱載流子注入效應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體器材表面和柵極氧化層的影響，進(jìn)而提高了器件飽和電流和熱載流子注入可靠性的品質(zhì)因數(shù)。