射頻功率芯片封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122461581.7 申請日 -
公開（公告）號 CN215815875U 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN215815875U 申請公布日 2022-02-11
分類號 H01L25/16（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏國 申請（專利權(quán)）人 蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 趙世發(fā)
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街328號創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園10-1F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種射頻功率芯片封裝結(jié)構(gòu)。所述射頻功率芯片封裝結(jié)構(gòu)包括：封裝框架以及被封裝在所述封裝框架內(nèi)的射頻功率芯片、輸出匹配電路組件和第一焊盤，其中，所述射頻功率芯片和輸出匹配電路組件固定設(shè)置在一封裝基島上，且所述射頻功率芯片還與所述輸出匹配電路組件電連接；以及，所述射頻功率芯片和輸出匹配電路組件還與所述第一焊盤電連接。本實(shí)用新型提供的射頻功率芯片封裝結(jié)構(gòu)，射頻功率芯片主體部分采用QFN封裝方式進(jìn)行封裝，輸出匹配電路組件通過LGA方式與射頻功率芯片集成設(shè)置在同一封裝基島上，使得該射頻功率芯片封裝結(jié)構(gòu)既具有優(yōu)異的電性能和散熱性能，又降低了輸出匹配的損耗。