一種射頻LDMOS器件及其制作工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010913893.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114141735A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN114141735A 申請(qǐng)公布日 2022-03-04
分類號(hào) H01L23/48（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 莫海鋒;彭虎 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 趙世發(fā)
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街328號(hào)創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園10-1F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種射頻LDMOS器件及其制作工藝。所述器件包括襯底，設(shè)置于襯底上的外延層、第一層金屬層和半通孔焊盤(pán)，外延層的厚度大于10um，且外延層的電阻率是襯底電阻率的10000倍以上。外延層內(nèi)形成有器件的體接觸區(qū)和半通孔，半通孔的一端穿過(guò)體接觸區(qū)至外延層遠(yuǎn)離襯底的表面，另一端穿過(guò)外延層與襯底連接；半通孔焊盤(pán)位于第一金屬層和外延層之間，且其一端與第一金屬層連接，另一端與半通孔連接。本發(fā)明通過(guò)將厚且高祖的外延層與半通孔結(jié)合，提高了器件的擊穿電壓范圍，降低了器件的電容，同時(shí)，進(jìn)一步降低了器件連接襯底的電阻，提高了器件的增益和效率。且與全通孔相比，具有更低的成本，器件也更穩(wěn)定。