應(yīng)用于射頻放大的RFLDMOS器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010877677.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114122131A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114122131A 申請公布日 2022-03-01
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭虎;莫海鋒;岳丹誠 申請（專利權(quán)）人 蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 趙世發(fā)
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街328號創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園10-1F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于射頻放大的RFLDMOS器件及其制作方法。所述RFLDMOS器件包括依次疊層設(shè)置的襯底和外延層，所述外延層內(nèi)分布有溝道區(qū)、漂移區(qū)和阱區(qū)，所述漂移區(qū)內(nèi)形成有漏區(qū)，所述阱區(qū)內(nèi)形成有源區(qū)和摻雜區(qū)，所述溝道區(qū)還分別與所述阱區(qū)、漂移區(qū)電性接觸或電性結(jié)合，所述源區(qū)還與所述摻雜區(qū)電性接觸或電性結(jié)合；以及，源極、柵極和漏極，所述柵極對應(yīng)設(shè)置在所述溝道區(qū)的上方，所述源極與所述源區(qū)電連接，所述漏極與所述漏區(qū)電連接，所述源極還經(jīng)一導(dǎo)電通道與所述襯底連接；所述襯底、外延層、阱區(qū)和摻雜區(qū)均為第一摻雜類型，所述溝道區(qū)、漂移區(qū)、源區(qū)、漏區(qū)均為第二摻雜類型。本發(fā)明提供的RFLDMOS器件，有效抑制了溝道熱載流子注入效應(yīng)，提升了電流密度。