一種雙管芯合封的共源共柵GaN功率器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122725392.6 申請日 -
公開（公告）號 CN216084887U 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN216084887U 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L25/18（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I;H03K17/687（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭虎;杜睿;盧爍今 申請（專利權(quán)）人 蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 艾中蘭;王鋒
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街328號創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園10-1F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種雙管芯合封的共源共柵GaN功率器件，其中包含合封的GaN?FET管芯和Si?LDMOS管芯，Si?LDMOS管芯的漏極與GaN?FET管芯的源極相連，GaN?FET管芯的源、漏極均由正面引出，其中漏極作為GaN功率器件成品的漏極引出，Si?LDMOS管芯的柵極引出作為GaN功率器件成品的柵極引出，Si?LDMOS管芯的源極從背面引出，與GaN?FET管芯的柵極相連并引出作為GaN功率器件成品的源極引出。本實(shí)用新型提出了一種新封裝結(jié)構(gòu)，通過加大引線框架面積，將Si?LDMOS管芯焊接在框架上，相應(yīng)PIN腳直接引出，最大程度降低封裝的共源極寄生電感。本實(shí)用新型通過若干優(yōu)化封裝方案，顯著降低合封器件的源極寄生電感，提升GaN功率器件的開關(guān)性能。