半導(dǎo)體工藝以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111147872.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113948446A 公開（公告）日 2022-01-18
申請公布號 CN113948446A 申請公布日 2022-01-18
分類號 H01L21/762（2006.01）I;H01L27/12（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 汪洋;張耀輝 申請（專利權(quán)）人 蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 霍文娟
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街328號創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園10-1F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體工藝以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體工藝包括：提供第一基底和第二基底，第一基底包括依次層疊的第一襯底、富陷阱層以及致密層，第二基底包括依次層疊的第二襯底以及有源層；在第一基底的裸露表面上形成介電層，形成第一鍵合基底，和/或，在第二基底的裸露表面上形成介電層，形成第二鍵合基底；以介電層作為鍵合界面，對以下之一進(jìn)行鍵合：第一基底和第二鍵合基底、第一鍵合基底和第二基底、第一鍵合基底和第二鍵合基底，得到鍵合結(jié)構(gòu)；去除鍵合結(jié)構(gòu)的第二襯底，以使得有源層裸露。本申請通過在富陷阱層上形成致密層，可得到表面較為平坦的富陷阱層。