一種帶屏蔽區(qū)的非對(duì)稱(chēng)碳化硅UMOSFET器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120364635.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN214378460U 公開(kāi)（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN214378460U 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類(lèi)號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 施廣彥;李昀佶 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州市鼓樓區(qū)京華專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王牌
地址 100000北京市海淀區(qū)西小口路66號(hào)中關(guān)村東升科技園B區(qū)1號(hào)樓106A、113A、115A、117A、119A、121A
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種帶屏蔽區(qū)的非對(duì)稱(chēng)碳化硅UMOSFET器件；所述器件包括自下而上的第二金屬，N+襯底和N?外延層；N?外延層具有第一P?阱區(qū)、第一N+注入?yún)^(qū)、第一P+注入?yún)^(qū)、第二P+注入?yún)^(qū)、第一溝槽和第二溝槽；還包括：第一金屬，第一金屬覆蓋部分第一N+注入?yún)^(qū)上表面、第一P?阱區(qū)側(cè)表面和第二P+注入?yún)^(qū)上表面以形成歐姆接觸；利用深P+屏蔽區(qū)和部分包圍槽角的P+注入?yún)^(qū)有效屏蔽或緩解柵極氧化層兩個(gè)槽角處的電場(chǎng)集中現(xiàn)象，從而提升器件的反向耐壓能力和使用可靠性。