一種圓形柵功率器件的自對準p型制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110733465.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113436976A 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN113436976A 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張瑜潔;施廣彥;李佳帥;李志君;黃波 申請（專利權）人 泰科天潤半導體科技（北京）有限公司
代理機構 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務所（普通合伙） 代理人 王牌
地址 100000北京市海淀區(qū)西小口路66號中關村東升科技園B區(qū)1號樓106A、113A、115A、117A、119A、121A
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種圓形柵功率器件的自對準p型制造方法，包括：在含N型外延層的N+型襯底SiC表面進行P阱外延，形成一層P型外延層；在所述P型外延層氧化生長一層SiO2層；根據設定進行光刻刻蝕，去掉設定區(qū)域的SiO2層和P型外延層；在上述形成的結構上氧化生長一層SiO2，該SiO2生長厚度控制在1?2μm；淀積poly，直至高于SiO2層；進行化學機械研磨，研磨至P型外延層表面；在上述形成的上表面進行P型離子注入，離子注入區(qū)域覆蓋整個晶圓；通過淀積、光刻、刻蝕工藝形成介質層和接觸孔，形成柵極和漏極的電極；下表面金屬化，形成源極金屬，完成功率器件制作，提高功率器件的可靠性。