一種在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制備設(shè)備
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111041644.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN113737158A | 公開(公告)日 | 2021-12-03 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113737158A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-03 |
| 分類號(hào) | C23C16/52(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 周祥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 徐州金琳光電材料產(chǎn)業(yè)研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 合肥銘輝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 張立榮 |
| 地址 | 221400江蘇省徐州市新沂市唐店街道眾創(chuàng)產(chǎn)業(yè)園A05棟 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明屬于二氧化硅薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制備設(shè)備,針對(duì)存在的設(shè)備內(nèi)溫度、基板角度調(diào)節(jié)的問題,現(xiàn)提出以下方案,包括支架,所述支架用于支撐設(shè)備的一端;溫度圈,所述溫度圈用于支撐設(shè)備另一端;所述溫度圈的一端設(shè)有前驅(qū)體輸入組件,且溫度圈的另一端設(shè)有真空度調(diào)節(jié)組件。本發(fā)明中利用激光發(fā)生器為狹縫式,通過反射呈激光帶,由基板一側(cè)移動(dòng)覆蓋,同時(shí)激光的發(fā)射角根據(jù)轉(zhuǎn)動(dòng)軸帶動(dòng)發(fā)射鏡變化,同時(shí)的前驅(qū)體輸入端,噴涂出霧化狀的二氧化硅,在帶狀激光照射下依次基板表面覆膜,覆膜更加穩(wěn)定緊密,而且整體的覆膜更均勻。 |





