一種應(yīng)用于硅基材料的二氧化硅薄膜生成工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111030211.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113707537A 公開（公告）日 2021-11-26
申請公布號 CN113707537A 申請公布日 2021-11-26
分類號 H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周祥 申請（專利權(quán)）人 徐州金琳光電材料產(chǎn)業(yè)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥銘輝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張立榮
地址 221400江蘇省徐州市新沂市唐店街道眾創(chuàng)產(chǎn)業(yè)園A05棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于硅基材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種應(yīng)用于硅基材料的二氧化硅薄膜生成工藝，針對存在的介電和疏水效果不佳問題，現(xiàn)提出以下方案，包括以下步驟，S1，在薄膜生產(chǎn)時，準(zhǔn)備潔凈基片，鍍膜前對基底進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，先把基片浸泡在丙酮溶液中25?30min,然后利用超聲波清洗機(jī)將基片進(jìn)行超聲振蕩50?60min，再用工業(yè)酒精重復(fù)擦洗，最后用低溫氮氣吹干。本發(fā)明利用采用溶膠—凝膠技術(shù)、蒸發(fā)誘導(dǎo)自組裝法,通過酸/酸二步法控制工藝條件，制備的薄膜經(jīng)過六甲基二硅胺烷（HMDS）表面修飾后具有良好的疏水性能和熱穩(wěn)定性，作為低介電材料能更好滿足工業(yè)需求。