硅基光伏器件面電極材料處理工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111011258.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113745372A 公開（公告）日 2021-12-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN113745372A 申請(qǐng)公布日 2021-12-03
分類號(hào) H01L31/18（2006.01）I;H01B1/02（2006.01）I;H01B1/04（2006.01）I;H01B1/12（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周祥 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 徐州金琳光電材料產(chǎn)業(yè)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥銘輝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張立榮
地址 221400江蘇省徐州市新沂市唐店街道眾創(chuàng)產(chǎn)業(yè)園A05棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于硅基光伏器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其是硅基光伏器件面電極材料處理工藝，針對(duì)存在的吸光效率和載流傳輸能力不佳的問題，現(xiàn)提出以下方案，包括以下步驟，S1，納米Si?P.T?Ag復(fù)合材料、ECA（粘合劑）、AB（乙炔黑）分別以75?80%、5?10%、5?10%的比例準(zhǔn)確稱取，放入球研磨機(jī)中研磨均勻，得到納米混合料。本發(fā)明采用硅?聚噻吩?銀離子陣列替代平面硅作為光吸收層，由于硅線優(yōu)異的吸光能力和有效的載流子傳輸能力，配合上該樣品具有較高容量保持率，其中聚噻吩和銀離子配合本身具有一些特殊的功能，保持了樣品具有較高容量保持率，提升了其較好的電子導(dǎo)電率和較高的彈性模量。