晶圓處理方法和制造半導體器件的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110793117.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113517192A 公開（公告）日 2021-10-19
申請公布號 CN113517192A 申請公布日 2021-10-19
分類號 H01L21/324（2006.01）I;H01L27/11524（2017.01）I;H01L27/11551（2017.01）I;H01L27/1157（2017.01）I;H01L27/11578（2017.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫璐 申請（專利權）人 長江存儲科技有限責任公司
代理機構 北京英思普睿知識產權代理有限公司 代理人 劉瑩;聶國斌
地址 430000湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)未來三路88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N晶圓處理方法和制造半導體器件的方法。該晶圓處理方法包括：在晶圓的邊緣或附件設置具有至少一個通孔的保護件，該至少一個通孔至少與晶圓的邊緣部分對應；利用加熱設備輻射的熱量對晶圓進行熱處理，其中所述熱量中的一部分穿過至少一個通孔對晶圓的邊緣部分進行加熱，所述熱量中的另一部分直接對晶圓的除邊緣部分之外的其余部分加熱。根據(jù)本申請的晶圓處理方法，可以通過保護件調節(jié)晶圓邊緣部分接收到的熱量，從而調節(jié)應力，調節(jié)晶圓的中心/中部/邊緣區(qū)域的彎曲，從而平衡整片晶圓的彎曲，也有益于后續(xù)的處理工藝，減小晶圓邊緣產生裂紋的可能性，提高晶圓的良率。