碳膜的制備方法、碳膜、以及刻蝕方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110342145.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113517189A 公開（公告）日 2021-10-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN113517189A 申請(qǐng)公布日 2021-10-19
分類號(hào) H01L21/311（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳廣輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孫佳胤
地址 430074湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)未來三路88號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種碳膜的制備方法、碳膜、以及刻蝕方法。包括如下步驟：將一晶圓置于反應(yīng)室中；采用等離子體混合氣體轟擊石墨烯靶材，在晶圓表面形成包含未成鍵的C、N原子的碳膜；退火，以激活未成鍵的C、N原子，形成共價(jià)鍵，得到碳膜。本發(fā)明制備出的碳膜硬度高、選擇比高，可以大大提高刻蝕的效率。