一種利用封裝打線電阻實現(xiàn)過流保護的電路
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202110686308.6 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN113437725A | 公開(公告)日 | 2021-09-24 |
| 申請公布號 | CN113437725A | 申請公布日 | 2021-09-24 |
| 分類號 | H02H3/08(2006.01)I;H02H1/00(2006.01)I | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
| 發(fā)明人 | 丁敏;楊琨;歐陽金星 | 申請(專利權)人 | 南京微盟電子有限公司 |
| 代理機構 | 杭州山泰專利代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 周玲 |
| 地址 | 210000江蘇省南京市玄武區(qū)玄武大道699-8號1號樓5樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及集成電路技術領域,公開了一種利用封裝打線電阻實現(xiàn)過流保護的電路,包括電源VDD,偏置電流IBIAS,負載電流ILOAD,PMOS管M1、M2、M3、M4、POWER,NMOS管M5、M6,電阻R2,封裝打線電阻R3、R4,打線VOUTA PAD、VOUTP PAD,芯片管腳VOUT。本發(fā)明在使用時,可以直接檢測負載電流,不受MOSFET二級效應的影響,且可用公式精確計算,精度高,同時去掉了M7和R1,節(jié)省版圖面積,相較于現(xiàn)有技術,本申請有效規(guī)避了現(xiàn)有過流保護電路的缺點,在提高過流保護精度的同時節(jié)省成本,使用效果極佳。 |





