多層鈍化保護(hù)復(fù)合結(jié)構(gòu)芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721856628.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN207558776U 公開（公告）日 2018-06-29
申請公布號(hào) CN207558776U 申請公布日 2018-06-29
分類號(hào) H01L23/29 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐明星;史國順;夏冬生;周猛 申請（專利權(quán)）人 萊商銀行股份有限公司濟(jì)寧兗州支行
代理機(jī)構(gòu) 青島發(fā)思特專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 盧登濤
地址 272100 山東省濟(jì)寧市兗州區(qū)兗顏路路北(天齊廟村村西)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種多層鈍化保護(hù)復(fù)合結(jié)構(gòu)芯片，屬于半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域，包括芯片基底，芯片基底通過濕法蝕刻形成溝槽，溝槽的外側(cè)與芯片基底之間設(shè)有PN結(jié)，溝槽的上方設(shè)有鈍化膜保護(hù)層，鈍化膜保護(hù)層覆蓋在溝槽的外部，鈍化膜保護(hù)層包括多層，從上到下依次為低溫氧化膜層、中溫氧化膜層、摻氧半絕緣多晶硅薄膜層、多晶硅薄膜層，本實(shí)用新型能夠?qū)崿F(xiàn)對裸漏PN結(jié)面的多層保護(hù)，提高鈍化的效果。