一種硅基底的清洗方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910699129.9 申請日 -
公開（公告）號 CN110459461A 公開（公告）日 2019-11-15
申請公布號 CN110459461A 申請公布日 2019-11-15
分類號 H01L21/02;C01B32/16 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 辛培培 申請（專利權(quán)）人 烯灣科城（廣州）新材料有限公司
代理機構(gòu) 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 方良
地址 510700 廣東省廣州市黃埔區(qū)中新廣州知識城億創(chuàng)街1號406房之48
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種硅基底清洗方法，包括如下步驟：獲取殘留有碳納米管和其他雜質(zhì)的硅基底，采用等離子束對所述硅基底進行拋光；對經(jīng)等離子束拋光后的硅基底用酸溶液進行化學(xué)清洗處理；對經(jīng)化學(xué)清洗處理后的硅基底進行物理清洗處理；對經(jīng)物理清洗處理后的硅基底進行吹干，隨后得到可重復(fù)使用的硅基底。清洗后硅片表面顏色均勻一致，無斑點、灰印問題；二次碳納米管生長試驗表明碳納米管產(chǎn)量達(dá)到新硅片的92％?98％，基本達(dá)到目標(biāo)要求。