一種硅基底的清洗方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910699156.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110491773A 公開（公告）日 2019-11-22
申請公布號 CN110491773A 申請公布日 2019-11-22
分類號 H01L21/02（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 辛培培 申請（專利權）人 烯灣科城（廣州）新材料有限公司
代理機構 深圳中一聯(lián)合知識產權代理有限公司 代理人 深圳烯灣科技有限公司;烯灣科城（廣州）新材料有限公司
地址 510700 廣東省廣州市黃埔區(qū)中新廣州知識城億創(chuàng)街1號406房之48
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種硅基底清洗方法，包括如下步驟：獲取殘留有碳納米管和其他雜質的硅基底，對所述硅基底進行高溫灼燒；對經高溫灼燒的硅基底用酸溶液進行化學清洗處理；對經化學清洗處理后的硅基底進行物理清洗處理；對經物理清洗處理后的硅基底進行吹干，隨后得到可重復使用的硅基底。清洗后硅片表面顏色均勻一致，無斑點、灰印問題；二次碳納米管生長試驗表明碳納米管產量達到新硅片的90％?97.8％，基本達到目標要求。