一種用半導(dǎo)體集成電路或者分立器件的濺射前處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810300435.6 申請日 -
公開（公告）號 CN108766932A 公開（公告）日 2018-11-06
申請公布號 CN108766932A 申請公布日 2018-11-06
分類號 H01L21/768 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 潘國剛;張曉新;余慶;趙鋁虎;周衛(wèi)宏;何火軍;傅勁松;鄢細(xì)根;張敏森 申請（專利權(quán)）人 華越微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海精晟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 華越微電子有限公司
地址 312000 浙江省紹興市環(huán)城西路天光橋3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于半導(dǎo)體集成電路或者分立器件上的濺射前處理方法，其特征在于，包括如下步驟：1）當(dāng)半導(dǎo)體器件在完成引線孔刻蝕后，通過稀釋為濃度為49wt%的HF酸漂洗去除引線孔內(nèi)自然氧化層及沾污物；2)沖水處理；3）接著利用濃度為60.8%的純硝酸浸泡處理，利用硝酸的氧化性，使硅表面產(chǎn)生一層很薄的氧化層；4）再進(jìn)行沖水、甩干完成前處理工藝。本發(fā)明通過增加硝酸前處理，改善了半導(dǎo)體集成電路或者分立器件的鋁硅接觸電阻的穩(wěn)定性，特別對于設(shè)計規(guī)則小于2um的產(chǎn)品的應(yīng)用上有明顯的改善效果。